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集成硅光电子结合了当今两大支柱产业—微电子产业和光电子产业—的精华，预期将在通信、传感、照明、显示、成像、检测等众多领域带来新的技术革命。
硅激光器是实现集成硅光电子的关键。由于硅的间接带隙结构特性，目前，硅的光增益较之通常的III-V族激光材料，仍有1-2个数量级的差距。为避开这个瓶颈，国际上将成熟的III-V族激光器制备在硅基片上，成为一种混合的硅基激光器。而以硅自身作为增益介质的全硅激光器可以更好地匹配现有硅工艺，大幅器件的可靠性，其研制既是科学技术上的挑战，也是集成硅光电子所必需。
为了大幅增强硅的光增益，复旦大学吴翔教授、陆明教授和张树宇副教授合作团队，首先借鉴并发展了一种高密度硅纳米晶薄膜生长技术，由此显著提高了硅发光层的发光强度;之后，为克服通常氢钝化方法无法充分饱和悬挂键缺陷这一问题，他们发展了一种新型的高压低温氢钝化方法，使得硅发光层的光增益一举达到通常III-V族激光材料（如GaAs、InP等）的水平;在此基础上，他们设计和制备了相应的分布反馈式（DFB）谐振腔，终成功获得光泵浦DFB型全硅激光器。光泵浦全硅激光器的研制成功，也为下一步研制电泵浦全硅激光器提供了参考依据。
实验发现，随着高压低温氢钝化的进行，硅发光层的光增益持续增强，终达到GaAs、InP的水平。实验中还观察到了满足激光产生条件的所有判据：阈值效应、谱线大幅收窄、偏振效应以及定向发射。激射峰值为770nm波长。之后他们又重复制备了四个相同结构的激光器。由于各发光层的有效折射率略有差异，所得到的四个激射峰值波长分布在760-770nm范围，半峰宽（FWHM）由激射前的约120nm缩小到激射后的7nm。
近日，“2013年现场检测仪器及技术研讨会”召开。在此次研讨会上，捷伦科技、赛默飞世尔科技、北京吉天、勤邦生物、吉大?小天鹅等仪器生产厂商都进行了技术和产品展示。
该研讨会由《现代科学仪器》编辑部主办、国产科学仪器应用示范中心协办，200名仪器及分析测试行业的专家、学者与会。此次大会对检测仪器的创新成果、发展技术等进行了报告，同时诸多现场检测仪器厂商在研讨会上进行了新品展示和新技术介绍。
随着我国经济水平的发展，人们越来越渴求拥有高质量的生活环境，尤其是食品、药品的，的体质等。此外空气质量、土壤状况、水质情况等等，都需要利用检测仪器来进行检测。这些都为现场快速检测仪器带来了巨大需求，也促使我国现存检测仪器在不断的创新和发展。
目前电子信息技术、微纳米制造技术、微流控技术、芯片技术等越来越多的应用于快检仪器和试剂上，这些都为检测仪器的创新发展带来了推动力量。我国现场检测仪器在定性定量分析、灵敏度、以及功能等多方面都有着。
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