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英谐振器的频率与尺寸的关系，是频率越高尺寸越小。因此，为了小型化，频率越高就越是有利。另一方面，频率越高，电路的功耗也越大，故单纯增加频率是可取的。 目前的37赫是在考虑小型和功耗的关系中选取的。76赫谐振器属低频谐振器，现在有些高频手表，其谐振器的振荡频率已高达，9, 3赫并达到年差秒的准确性。 集成电路。 在显微镜下，我们可以观察到集成电路表面有一层银白色的斑纹，它是一层很有规则的图形，这就是连接电路元器件构成电路的金属铝引线。再仔细观察，还会发现在铝引线下面有很多同颜色的亮晶晶的区域，这些就是集成电路中的元器件，如电阻、电容、晶体管等。但是它们已经失去了原来单个元件的形状，而是紧凑地排列在这硅片内了。 指针式手表中的集成电路 电子手表所采用的集成电路是C-MOS-LSI电路，这种电路的突出优点是输入阻抗高、稳定性好、可靠性高、功耗低、开关速度快，而且设计制造简单。 下面简单介绍一下C-MOS-LSI电路;C表示互补，M表示金属，O表示氧化物，S表示半导体，LSI表示大规 模集成电路。 漏区之间的硅片表面，生成一薄层二氧化硅绝缘层，在二氧化硅层上覆盖一层金属铝层，形成栅极(G)，栅极与其它两个电极是相互绝缘的。从结构上可以看出，因为这种晶体管是由金属铝层、二氧化硅和半导体硅所组成，所以称做金属——氧化物——半导体场效应晶体管。
MOS晶体管分P型沟道和N型沟道，上面所举例的是P型沟道。若利用N型和P型沟道组成的电路，叫做互补MOS电路(简称C-MOS电路)手表采用的电子电路正是C-MOS电路。 。 场效应——利用外加电场使半导体中形成一个导电沟道或改变原来导电沟道的大小，从而控制导电变化的现象。也就是说，实现外加电场对输出电流的控制，称为场效应。金属——氧化物——半导体场效应晶体管的工作原理是：当加栅压时，即使“源”与“漏,,之间加上电压，电流也很难通过。如果在栅极上加一个正电压，就象平行板电容器感应电荷一样，在P型半导体与二氧化硅膜相接的表面上，就会感应出一层N型电荷层，成为“源”与“漏”之间的沟道(叫做N型沟道)。 因此，就有电流从“源”流至“漏”，显然电流的大小，是受沟道的大小，即栅压的大小控制，这样就实现了外加电场对输出电流的控制。振荡器的频率受晶体控制，当标称频率376赫发生微小的频率偏移时，可以向相应的方向转动微调电容器，以进行控制调整。此时振荡器，便将准确而且稳定的频率信号传递给分频器。 分频器的作用，是将振荡器的高频信号分频到机械传动系统所能适应的频率。分频器的两种互补输出是用来确定两个双稳触发器FFi和FFz的状态。双稳触发器，由一个脉冲触发后进入导通状态，当下一个脉冲到达时，便复位为截止状态，在FF动作后一秒钟，FFz开石作。在FFi和FFz动作后，设56毫秒时，可由九分频器输出的脉冲将其复位。因此FFi的输出脉冲是矩形波，脉冲宽度56毫秒，脉冲重复周期为秒钟。
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电子校表仪 电子校表仪是校验电子手表走时精度的必要仪器，大多数电子校表仪都是直接以数字表示电子手表的瞬时曰差，使用方便、准确性高。 目前修理上常用的电子校表仪有日本两铁城CQT-ioi 型、精工QT-99型、产F型、瑞士格林纳等号。 现以日本西铁城CQT-i oi型为例，介绍电子校表仪的使用方法。 电子校表仪必须接稳压电源。微音器应噪日光灯、电动机。校表仪应接上地线，放置位置要靠近暖气和受日光曝晒。 先将电源插上，然后再撇下开关“ON”端，这 CQT-ioL型校表仪一般预热时间为5-分钟，预热时间到则测量准。断电后重新使用，仍要再行预热。 将电子表微音器插头插入输入孔，并根据被测手表将微音器的开关位置拨到A(代表指针式电子表)或 D(代表液晶数字显示式电子表)的位置。 将“手表选择种类”按键A(代表指针式电子表)或D(代表液晶数字显示式电子表)揿入。 将“测量时间”按键揿入，按键上数字“”代表每秒钟显示一次读数， “”代表每秒钟显示一次读数，以此类推。 将“测量精度”按键“999”揿入，“999”表示显示时间精度可到秒。 指针式电子表表面向上或液晶数字显示式电子表表玻璃向下放在微音器上，这时仪器上的信号灯就会稳定的连续闪烁，指针式电子表测量时信号灯是一秒一闪。显示窗口上即显示出手表的瞬时日差(秒/天)。 每测一只电子手表，应让显示窗口上数字连续显示3次以上，若数字相近，可取它们的平均值。如每次显示数值相差过大，应检查是否放置合适或有外来干扰，排除后再重新测量。 (IO)当被测电子手表的误差超过所选定的测量精度范周时，仪器窗n上会显示数字。 ()测量完毕，应将开关“OFF”撇下，即可关闭校表仪。
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