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变压器分好多类的，其中应用广泛的是开关电源的变压器。这种变压器不仅质量好，而且性价比也很高。因为现在变压器质量越来越不好了。品种而多了质量下去了。所以现在想找一个性价比高的变压器很难找。但是开关电源变压器质量是没的说。 因为它不仅可以用在开关上而且可以用在其它一些电器上，比如电视机，电冰箱等，因为这些家用的电器对变压器的要求非常高。那么开关电源变压器有什么优点呢假定阻抗是4%，则二次侧短路后，高压侧的额定电流是25倍。时间2秒空载合闸涌流(峰值)大约是额定电流的12倍，率减到额定电流的一半时间大约1秒。 根据以上特性选择合适的熔丝，也就是不会由于合闸涌流误动作。当二次侧短路的时候则不能由于不动作导致变压器被损坏。而在额定电流下能够运行。这样大家可以明白电源变压器了吧其实如果大家高度一下这方面的变压器知识，那么对变压器就会很大程度的了解，不仅变压器质量好，而且变压器的性价比才是重要的。 特高压工程相较于其他输变电工程来说，具备更灵活的融冰措施，原理均为电流，引起导线，起到融冰的效果。目前特高压工程设计的融冰方式有两种：一是有专门的融冰运行方式，通过改变主回路接线方式，增大直流电流;二是不改变主回路接线，通过调节运行方式，增大直流电流进行融冰。
质量问题普遍存在，产品一次合格率低由于质量系统不完善，IS09001质量保证体系未能得到真正贯彻，除济南西门子等个别企业外，绝大多数企业都没有实施六个西格玛质量管理方法，所以变压器成品试验一次合格率低，大多低于三西格玛质量水平，所以返工现象多，质量成本居高不下。 采用三维CAD设计就更少了。只有真正意义上的CAD，才能有效降低设计成本和设计效率并保证设计质量。三西格玛质量水平要求的缺陷率为0.27%，即合格率为973%，更不用说六个西格玛质量水平了，它要求的缺陷率为百万分之三点四，几乎是零缺陷。 变压器有的时候会产生一些小毛病，但是我们在物理学中也学习过错误和误差，一般来讲，什么是错误，什么是误差我们要分辨清楚，其实变压器也是有误差的，这不算是错误，但是由于变压器的严重到一定程度就是错误了，必须要进一步去改进了。 我们来看看变压器都是由哪些误差1)小电流运行时，既低负荷运行，由于负荷电流较小，这样励磁电流就不能忽略，这样如果直接根据关系0=I1*W1+I2*W2来求I1就不准确了。所以变压器一般都会给一个精度等级，这就和材料有关系了，材料越好，产生相同的磁通需要的电流就越小，既励磁电流就可以很小，这样自然就了测量的精度。 2)大电流运行时，由于某些原因使变压器工作进入饱和区，其实饱和不饱和并不是因为电流大就饱和，而是励磁电流大才会饱和，比如CT在线路故障时一次侧有大电流，超出了变压器容量，则超出部分就会变为励磁电流引起变压器饱和，这时变压器精度同样变差了。 厂用变压器是专门给电厂自己供电用的。从出发，他的短路阻抗比一般的配电变压器要大。与一般的配电变压器的要求一致这个“厂”指的是电厂，而不是一般的工厂。这种专门的厂用变压器有其自己的标准。他是专门给电厂自己供电用的。
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这样每个绕组都和它的屏蔽层同电位，它们之间不会有容性电流。当上管TA导通、上管绕组NA的电位跳升时，屏蔽层N3和N4的电位也要同样跳变，由于N2和N3之间的分布电容，这个跳变将在这两个屏蔽层中间产生电流，但对管子的驱动没有影响，只是会耗损一点主功率。 在实际电路中采用了加电磁屏蔽的驱动变压器之后，问题得到了全部解决。需要提出的是，屏蔽的作用是将各个绕组隔离开，以避免分布电容的不良影响。因此屏蔽层接到什么地方，是需要慎重考虑的，否则可能适得其反。如果图3中的NN4不与NA相接，而是与N2一起接到功率地，则电容分布如图4所示，CC7分别表示绕组NA的上下端与屏蔽层N3间，也就是功率地间的分布电容(实际上CC7分别是包含了图2中、C1后的等效电容)。 当NA输出正脉冲的上升沿时，TA迅速导通，M点电位跳升，于是CC7中要有容性电流产生。M是低阻抗点，电流iC7对它的电位影响不大，但N点却是高阻抗点，iC6电流将降低它的电位，可能使TA管关断。因此不能采用这种连接方式。 屏蔽层NN4如改与NA的同名端相接，效果也不好。实际电路都是由非理想元件组成的，在设计中可能会遇到许多预料不到的情况。在调试如图1所示的普通全桥电源时，输出不是料想中平稳的波形，而是不时发生间歇振荡，并发出“吱吱”声，有时甚至会烧毁开关管。 对电路进行分析后未发现结构上可能导致不的因素，于是改变输出采样的电压比，将输出调定在半电压24V上，使用90V的输入直流电压，在保证功率管的情况下进行调试。待电路工作正常后，再升高输入直流电压，经过多次试验，发现当Ui为180～250V时就可能引发振荡，后判定是驱动变压器各个绕组之间的分布电容在捣乱。 当驱动变压器的绕组NA输出正脉冲时NB输出负脉冲，TA管由截止转为饱和导通，于是TA管的源极即M点的电位急速升高，并通过电容C2NB绕组上端P的电位，升高的数值与两个绕组的分布电容CCC3有关，还和P点到地的高频阻抗以及M点电位上升的速度有关。
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